SnO2微米线的直接沉淀法制备及其光催化、光电化学性能研究

       摘要: 利用简单的直接沉淀法,采用聚乙二醇为导向剂,在常温下合成了SnC2 O4微米线,其平均轴向长度为109.6μm,直径为0.95μm.经过煅烧后制备了大长径比的SnO2微米线,并利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射等分析手段对其进行了表征.以罗丹明B为探针反应研究样品的光催化活性,结果表明,由于较大的比表面积、独特的孔结构,4 h光催化降解率高达80%,同时探索研究了其光电化学性能,当外偏压为2 V时,光电流响应为6.03μA/cm2.

作者:
李晓东 杨善 黄锡奇 倪春贵
单位:
东北大学 材料各向异性与织构教育部重点实验室,沈阳 110819;东北大学 材料科学与工程学院 陶瓷与粉末冶金研究所,沈阳 110819 东北大学 材料各向异性与织构教育部重点实验室,沈阳,110819
出处:
《功能材料》
刊期:
2018年第49卷第8期
基金:
国家重点研发计划资助项目(2017YFB0305700) 国家自然科学基金委员会与中国工程物理研究院联合基金资助项目(U1630137)

SnO2微米线的直接沉淀法制备及其光催化、光电化学性能研究

摘要:利用简单的直接沉淀法,采用聚乙二醇为导向剂,在常温下合成了SnC2 O4微米线,其平均轴向长度为109.6μm,直径为0.95μm.经过煅烧后制备了大长径比的SnO2微米线,并利用扫描电镜、透射电镜、X射线衍射等分析手段对其进行了表征.以罗丹明B为探针反应研究样品的光催化活性,结果表明,由于较大的比表面积、独特的孔结构,4 h光催化降解率高达80%,同时探索研究了其光电化学性能,当外偏压为2 V时,光电流响应为6.03μA/cm2.

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